[发明专利]使用高光谱成像的半导体过程的光学诊断在审
| 申请号： | 202080036423.2 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113924474A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈艳;田新康 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/73 | 分类号： | G01N21/73;G01N21/47;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王伟楠;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 披露了一种用于光学地诊断半导体制造过程的改进的设备和系统以及相关联的方法的实施例。在等离子体加工系统中，使用高光谱成像系统来采集来自等离子体的发射的光谱解析图像。采集的高光谱图像可以用来确定等离子体的化学成分和等离子体过程端点。替代地，高光谱成像系统用来在加工之前、期间或之后采集衬底的光谱解析图像，以确定衬底或在衬底上形成的层和特征的特性，包括是否已经达到过程端点；或者在加工之前或之后，用于检查衬底状况。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 光谱 成像 半导体 过程 光学 诊断 | ||
【主权项】：
暂无信息
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