[发明专利]用于高深宽比特征蚀刻期间的关键尺寸控制和形成保护层的碳基沉积物在审
| 申请号： | 202080036802.1 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113841225A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 乔恩·亨利;卡蒂克·S·科林吉瓦蒂;弗朗西斯·斯隆·罗伯茨;卡普·瑟里什·雷迪;萨曼莎·西亚姆华·坦;李石柯;艾利克·哈德森;托德·施罗德;杨家岭;郑惠丰 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02;H01J37/32;C23C16/26;C23C16/04;C23C16/50 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过(a)在形成于半导体衬底上的一或更多层中竖直地蚀刻具有侧壁和深度的特征；以及(b)在该特征的侧壁上沉积非晶碳衬垫，来制造半导体衬底。迭代进行步骤(a)且任选地迭代进行步骤(b)，直到竖直蚀刻的特征到达期望深度为止。在(a)的每次迭代中，该特征被竖直地蚀刻至更深入该一或更多层处，而该非晶碳衬垫抵抗对该特征的侧壁的横向蚀刻。在(b)的每次任选迭代中，对该特征的侧壁上所沉积的非晶碳衬垫进行补充。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高深 特征 蚀刻 期间 关键 尺寸 控制 形成 保护层 沉积物 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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