[发明专利]混频器及半导体装置在审
| 申请号： | 202080038069.7 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113875149A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 大嶋和晃;国武宽司;井上达则 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03D7/00 | 分类号： | H03D7/00;H03D7/12;H03D7/14;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式提供一种电路面积小且抑制因热量而工作能力下降的混频器及半导体装置。一种包括差动部、电流源、第一负载、输入端子及第一输出端子的混频器，差动部包括第一晶体管、第二晶体管，第一晶体管、第二晶体管各自在沟道形成区域中包含金属氧化物。第一晶体管、第二晶体管各自的第一端子与输入端子及电流源电连接，第一晶体管的第二端子与第一负载的第一端子及第一输出端子电连接。通过向第一负载的第二端子供应电压，第一负载具有使电流流过第一负载的第一端子与第二端子之间的功能，电流源具有使恒电流从第一晶体管、第二晶体管各自的第一端子流向电流源的功能。电流源包括在沟道形成区域中含硅的晶体管，差动部在电流源的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 混频器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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