[发明专利]具有回流金属间电介质层的功率半导体器件在审
| 申请号： | 202080044509.X | 申请日： | 2020-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN114026700A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | E·R·范布朗特;D·J·里施顿瓦尔纳;S·萨布里 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/417;H01L29/16;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 於菪珉 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体器件包括包含至少一个回流电介质材料图案和至少一个不可回流电介质材料图案的多层金属间电介质图案。在其他实施例中，功率半导体器件包括回流金属间电介质图案，其使用诸如坝料之类的牺牲结构形成以在回流处理期间限制金属间电介质图案的可回流电介质材料的横向扩展。该金属间电介质图案可以具有改进的形状和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 回流 金属 电介质 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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