[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202080048908.3 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114026684A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | E·卡里曼诺维奇;G·诺鲍尔;O·布兰克;A·费拉拉 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/34;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/488;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，半导体器件包括半导体管芯，半导体管芯包括具有源极电极、漏极电极和栅极电极的竖向晶体管器件，半导体管芯具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一金属化结构位于第一表面上，并且包括耦合到源极电极的至少一个源极焊盘、耦合到漏极电极的至少一个漏极焊盘和耦合到栅极电极的至少一个栅极焊盘。第二金属化结构位于第二表面上，并且包括导电结构和电绝缘层，并且形成半导体器件的最外表面。第二金属化结构的最外表面被通过电绝缘层与半导体管芯电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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