[发明专利]图像显示装置的制造方法及图像显示装置在审
申请号: | 202080049014.6 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN114072914A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 秋元肇 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式的图像显示装置的制造方法具备:准备在第一基板上具有包含发光层的半导体层的第二基板的工序;准备形成有包含电路元件的电路的第三基板的工序;将所述半导体层粘合于所述第三基板的工序;蚀刻所述半导体层而形成发光元件的工序;用具有透光性的绝缘部件覆盖所述发光元件的工序;形成将所述发光元件与所述电路元件电连接的配线层的工序。所述发光元件包含与粘合于所述第三基板的面相对的发光面。所述绝缘部件被设置成使从所述发光元件放射的光向所述发光面的法线方向且所述发光面侧配光。 | ||
搜索关键词: | 图像 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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