[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202080049387.3 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114072922B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 高谷秀史;竹内有一;渡边行彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)的半导体衬底(10)的终端区域(102)具有p型的多个保护环(16)和多个第1扩散区域(17)。在对上述半导体衬底进行平面观察时，与上述多个保护环的1个对应而配置有上述多个第1扩散区域的1个。在对上述半导体衬底进行平面观察时，上述多个保护环分别位于对应的上述第1扩散区域内。上述多个保护环各自的宽度比对应的上述第1扩散区域的宽度小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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