[发明专利]在(111)Si上生长的第III-V族材料的受控的n-掺杂的方法在审
| 申请号： | 202080049906.6 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN114341408A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 雷纳托·布格;盖尔·米瓦尼斯 | 申请（专利权）人： | 集成太阳能公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B23/02;C30B29/40;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提供在(111)Si上生长的n‑掺杂的第III‑V族材料的方法，并且尤其涉及一种包括与不生长步骤交错的生长第III‑V族材料的步骤的方法，其中生长步骤和不生长步骤两者都受到恒定的不间断的砷流浓度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 111 si 生长 iii 材料 受控 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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