[发明专利]薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202080051447.5 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN114127956A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 松尾大辅;安东靖典;瀬戸口佳孝 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陈良路;刘芳 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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