[发明专利]磁阻效应元件及磁阻效应器件在审
| 申请号： | 202080054436.2 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN114175290A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 深谷直人;早川纯 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在依次层叠有铁磁性固定层、铁磁性自由层以及保护层的磁阻效应元件中，能够不损害作为磁传感器的功能而更高效地进行磁阻效应元件上的磁场的检测。作为方法，形成GMR层叠膜，该GMR层叠膜具备铁磁性自由层以及形成在铁磁性自由层上、保护铁磁性自由层不受氧化等影响的保护层。在此，由氧化物反铁磁性体构成保护层，且以10nm以下的膜厚形成保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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