[发明专利]非易失性半导体存储器件在审
| 申请号： | 202080055394.4 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN114175277A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎忠行;林泰伸;清水吾朗 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的存储单元(10)包括：在半导体衬底的p阱(11)的表面夹着沟道区域(12)形成的漏极区域(13)和源极区域(14)；以覆盖沟道区域(12)的方式形成的绝缘膜(15)；形成在绝缘膜(15)上的栅极(16)；以位于栅极(16)的侧面且在沟道区域(12)的正上方的方式形成的侧墙(17)；以覆盖漏极区域(13)、源极区域(14)的一部分、栅极(16)和侧墙(17)的方式形成的自对准硅化物阻挡膜(18)；形成在从自对准硅化物阻挡膜(18)和自对准硅化物阻挡膜(18)露出的漏极区域(13)和源极区域(14)中的漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)；和以覆盖自对准硅化物阻挡膜(18)、漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)的方式形成的氮化膜(19)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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