[发明专利]裸片上静电放电保护在审
| 申请号： | 202080058596.4 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN114270512A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;余晓菊;陆叶 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60;H01L23/64;H01L23/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于在电子设备中进行裸片上静电放电(ESD)保护的设备和方法。所公开的方面包括一种电子设备，该电子设备包括被布置在具有第一端口和第二端口的裸片内的受保护电路。第一电感器也被布置在裸片内并且电耦合到第一端口。第二电感器也被布置在裸片内并且电耦合到第二端口。第一电感器和第二电感器被布线成紧密邻近，并且被配置为使得第一电感器与第二电感器异相。 | ||
| 搜索关键词： | 裸片上 静电 放电 保护 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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