[发明专利]单晶硅的培育方法及单晶硅的提拉装置在审
| 申请号： | 202080062476.1 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN114341406A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 深津宣人;横山龙介 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06;C30B30/04;C30B15/20;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于提拉法的单晶硅的培育方法，其具有：提拉工序，一边使单晶硅(S)旋转一边进行提拉；及掺杂剂投下工序，在单晶硅(S)的直体部的提拉过程中向硅熔液的液面(MA)上投下粒状掺杂剂，在掺杂剂投下工序中，将粒状掺杂剂的投下位置设定于在硅熔液的液面(MA)上远离直体部的流动占主导的区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 培育 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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