[发明专利]使用多维激光退火的高密度逻辑形成在审
| 申请号： | 202080064216.8 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN114365275A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | H·吉姆·富尔福德;马克·加德纳;杰弗里·史密斯;拉尔斯·利布曼;丹尼尔·沙内穆加梅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/092;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;杜诚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成晶体管器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第一晶体管平面，该第一晶体管平面包括适用于形成场效应晶体管的沟道的至少一层外延膜；在该第一晶体管平面上沉积第一绝缘体层；在该第一绝缘体层上沉积第一多晶硅层；使用激光加热对该第一多晶硅层进行退火。该激光加热增加了该第一多晶硅层的晶粒尺寸。该方法还包括：在该第一多晶硅层上形成第二晶体管平面，该第二晶体管平面适用于形成场效应晶体管的沟道；在该第二晶体管平面上沉积第二绝缘体层；在该第二绝缘体层上沉积第二多晶硅层；以及使用激光加热对该第二多晶硅层进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 多维 激光 退火 高密度 逻辑 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
