[发明专利]制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线MOSFET在审
| 申请号： | 202080064240.1 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN114430862A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 拉尔斯-埃里克·维纳森;奥利-佩卡·基尔皮 | 申请（专利权）人： | C2安培有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/205;H01L29/775;H01L21/335;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵金强;王新华 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于在包括至少一条竖直纳米线(125)的半导体衬底(110)上制造非对称竖直纳米线MOSFET(100)的方法，该至少一条竖直纳米线包括核心部分(120)和外壳部分(130)，该外壳部分包围核心部分(120)。该方法包括：在半导体衬底(110)上沉积保护层(140)；在竖直纳米线(125)的未被保护层(140)遮盖的剩余部分(120t)周围形成顶部接触件(150)；去除保护层(140)；在半导体衬底(110)上沉积间隔层(160)；去除竖直纳米线(125)的底部分(125b)的中间部分(125i)的外壳部分；修整竖直纳米线(125)的底部分(125b)的上部部分(125u)的外壳部分；在间隔层(160)上沉积金属栅极(170)，并且形成下源极漏极部分和上源极漏极部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 对称 竖直 纳米 mosfet 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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