[发明专利]RuO4在审

专利信息
申请号: 202080068040.3 申请日: 2020-09-23
公开(公告)号: CN114514598A 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 佐藤伴光;吉川由树;下田享史;根岸贵幸 申请(专利权)人: 株式会社德山
主分类号: H01L21/321 分类号: H01L21/321;H01L21/3213;H01L23/532;C07C211/63;C07D207/04;C07D487/10;C07F9/54;C07C381/12
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;朴秀玉
地址: 日本山口*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种RuO4气体的产生抑制剂、以及抑制RuO4气体的方法,所述RuO4气体的产生抑制剂在半导体元件的制造工序中使用,抑制使包含钌的半导体晶片与处理液接触时产生的RuO4气体。具体而言,本发明提供一种抑制剂,其为用于在半导体形成工序中抑制使包含钌的半导体晶片与处理液接触时产生的RuO4气体的RuO4气体的产生抑制剂,所述抑制剂包含由鎓离子和含溴的离子构成的鎓盐。此外,提供一种通过对在半导体形成工序中使用的钌处理液或含钌的液体添加该抑制剂而抑制产生的RuO4气体的方法。
搜索关键词: ruo base sub
【主权项】:
暂无信息
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