[发明专利]在线端的自对准顶部过孔形成在审
| 申请号： | 202080069804.0 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114503249A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | A.杜塔;J.阿诺德;D.梅特兹勒 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在线端处形成自对准过孔(2302、2402)的方法，包括：图案化偶数/奇数金属线(202、302)，包括使用第一/第二硬掩模(102、104)；使用切割掩模(402、1102)切割硬掩模(102、104)和选定金属线(202、302)，偶数或奇数的，所述切割掩模具有窗口(404)，所述窗口在选定金属线(202、302)的切割区域之上暴露硬掩模(102、104)；扩大所述窗口(404)以暴露所述切割区域的任一侧上的所述硬掩模(102、104)；使用扩大的窗口(1104)选择性地蚀刻所述硬掩模(102、104)，以在所述切割区域内形成T形空腔(902、1502)；用间隙填充电介质(2002)填充所述T形腔(902、1502)；去除所述硬掩模(102、104)；以及使所述金属线凹陷(202、302)，其中所述间隙填充电介质(2002)悬垂于所述选定金属线(202、302)的通过所述凹陷在所述金属线(202、302)的端部处形成所述自对准过孔(2302、2402)的部分。还提供了一种结构。 | ||
| 搜索关键词： | 在线 对准 顶部 形成 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
