[发明专利]具有波形沟道区域的碳化硅平面MOSFET在审
| 申请号： | 202080073622.0 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN114600249A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | R·R·波特拉;V·帕拉;T·威特 | 申请（专利权）人： | 赛美科公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 高英英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种碳化硅MOSFET，包括分别设置在第一阱区和第二阱区中的第一源极区和第二源极区。第一和第二源极区中的每一者都延伸到衬底的顶部表面。相应的第一阱区和第二阱区的第一沟道区和第二沟道区将第一源极区和第二源极区与JFET区横向地分开一沟道长度。第一和第二沟道区向上延伸到顶部表面。第一和第二沟道区各自以波形图案布置在衬底的顶部表面处。波形图案在第一和第二横向方向上延伸。在导通状态下，电流从第一和第二源极区横向流到JFET区，然后在垂直方向上向下通过延伸的漏极区流到漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 波形 沟道 区域 碳化硅 平面 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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