[发明专利]保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及带保护膜的小片的制造方法在审

专利信息
申请号: 202080074351.0 申请日: 2020-10-22
公开(公告)号: CN114599517A 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 佐伯尚哉;山本大辅;米山裕之 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: B32B27/32 分类号: B32B27/32;B32B27/30;B32B27/20;B32B27/08;B32B3/08;B32B7/12;B32B27/18;B32B27/22;B32B27/36;B32B27/28;B32B27/40;B32B25/00;B32B25/08;C08J7/04
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明的目的在于使用切割刀切断半导体晶圆等工件与保护膜形成用膜而制造带保护膜的小片时,能够抑制产生崩边。本发明的保护膜形成用膜(1)包含填料(2),在该膜(1)的剖面观察中,将膜的总厚度设为T时,且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域,在第一区域中所观察到的填料的50%累计粒径D501与在第二区域中所观察到的填料的50%累计粒径D502,满足下述条件:D501D502,且(D502‑D501)/D501×100≥5(%)。
搜索关键词: 保护膜 形成 复合 小片 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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