[发明专利]非极性Ⅲ族氮化物二元和三元材料，及其获得方法和用途在审
| 申请号： | 202080074433.5 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN114599827A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 谢梦尧;阿玛利亚·路易萨·费尔南多·萨瓦哆啦;安娜·玛利亚·本高奇亚·昂凯柏;史蒂芬·阿尔伯特;安立奎·葛耶哈·帕督;米高林·安吉尔·桑切斯·伽西亚;大卫·娄帕斯-罗密欧·莫罗瑞达 | 申请（专利权）人： | 谢奉杰;谢梦尧 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/04;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京专猎知识产权代理事务所(普通合伙) 16023 | 代理人： | 刘心蕾 |
| 地址： | 200237 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明的目的在于提供一种将蚀刻的非极性III族氮化物纳米柱的有序阵列聚结成非极性III族氮化物致密层的方法。此外，本发明还涉及非极性III族氮化物的二元和三元连续(2D)薄膜、层或伪衬底，其可通过本发明所公开的方法获得并具有优良的特性。本发明还包括一组特定的非极性III族氮化物连续(2D)薄膜或层，其具有选自In、Al和这两种元素组成的组中的一种成分，该III族氮化物连续(2D)薄膜或层包裹III族氮化物纳米晶体有序阵列，不管其获得方法如何，所述III族氮化物连续(2D)薄膜或层可以是以下材料组中的一种：非极性InN，非极性AlN，非极性Ga |
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| 搜索关键词： | 极性 氮化物 二元 三元 材料 及其 获得 方法 用途 | ||
【主权项】：
暂无信息
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