[发明专利]PMOS高K金属栅极在审
| 申请号： | 202080076754.9 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114616680A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 杨逸雄;杰奎琳·S·阮奇;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;林永景;史蒂文·C.H·洪;陈世忠;沙浩燕;林志周 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/67;H01L29/49;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开金属栅极堆叠结构和形成金属栅极堆叠结构的整合的方法。一些实施方式包含MoN作为PMOS功函数材料。一些实施方式包含TiSiN作为高κ覆盖层。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能伴随减小的EOT减损。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 金属 栅极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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