[发明专利]单晶提拉方法和单晶提拉装置在审
| 申请号： | 202080077251.3 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN114599826A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 成松真吾 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供单晶提拉方法和单晶提拉装置，所述单晶提拉方法是在通过直拉法从硅熔融液中提拉硅单晶时，在肩部形成后、且在产品部前半形成中，向硅熔融液中高效地添加掺杂剂而不会产生有位错化，可得到低电阻率的单晶。所述方法具备以下工序：形成惰性气体流(G)的工序，该惰性气体流在配置成包围在炉内培育的硅单晶(C)的隔热板(7)的内侧从上方朝向硅熔液面(M1)流动，同时沿着上述硅熔液面放射状地扩展，向上述坩埚外排气；在上述炉内使掺杂剂变成气态的工序；将已变成气态的掺杂剂排放到上述隔热板的内侧的工序；以及使上述已变成气态的掺杂剂搭乘上述惰性气体流而流动的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶提拉 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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