[发明专利]用离子注入法制造的具有电荷感测的马约拉纳费米子量子计算器件有效

专利信息
申请号: 202080077908.6 申请日: 2020-11-10
公开(公告)号: CN114667608B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: S.福尔摩斯;D.萨达纳;S.哈特;李宁;S.比德尔;P.古曼 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H10N69/00 分类号: H10N69/00;B82Y10/00;G06N10/40;H10N60/10;H10N60/01
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈金林
地址: 美国纽*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 通过在超导体层(410)上形成限定器件区和器件区内的感测区的第一抗蚀剂图案来制造量子计算器件。感测区内的超导体层被去除,从而暴露器件区外的底下半导体层(340)的区。对半导体层的暴露区进行注入,形成围绕器件区的隔离区(240,2150)。在注入之后使用蚀刻工艺,感测区和超导体层的器件区的邻近隔离区的部分被暴露。通过在感测区内沉积第一金属层形成隧道结栅极(204)。包括反射测量区内的第二金属的反射测量导线(202)被形成。纳米柱触点(206,212)使用器件区的感测区外的部分内的第二金属来形成。
搜索关键词: 离子 注入 法制 具有 电荷 马约拉纳 费米 量子 计算 器件
【主权项】:
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