[发明专利]包括嵌入接合焊盘的扩散阻挡层的半导体裸片及其形成方法在审
| 申请号： | 202080081818.4 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114730701A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 织田宪明;翁照男 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 牛芬洁;刘芳 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可在半导体衬底上方形成半导体器件，并且可在该半导体器件上形成嵌入金属互连结构的互连层级介电材料层。在一个实施方案中，可形成焊盘连接通孔层级介电材料层、近侧介电扩散阻挡层和焊盘层级介电材料层。可在该焊盘层级介电材料层中形成由介电扩散阻挡部分包围的接合焊盘。在另一个实施方案中，可形成近侧介电扩散阻挡层和焊盘和通孔层级介电材料层的层堆叠。可穿过该焊盘和通孔层级介电材料层形成集成焊盘和通孔腔，并且可填充有含有介电扩散阻挡部分和集成焊盘和通孔结构的接合焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 嵌入 接合 扩散 阻挡 半导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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