[发明专利]与垂直场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器单元在审
| 申请号： | 202080083203.5 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN114747015A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | A·雷茨尼采克;B·海克马特少塔巴瑞;安藤崇志;K·巴拉克瑞什那 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单晶体管双电阻器(1T2R)电阻式随机存取存储器(ReRAM)结构及用于形成所述结构的方法，包括形成垂直场效应晶体管(VFET)，所述VFET包括位于沟道区域(502)上方和介电盖(708)下方的外延区域(810)。外延区域(810)包括由水平延伸超过沟道区域(502)的111平面界定的三角形形状的两个相对的突出区域。在VFET上共形地沉积ReRAM堆叠体。ReRAM堆叠体包括直接位于外延区域(810)上方的氧化物层(1910)、直接在氧化物层(1910)上方的顶部电极层(1912)和在顶部电极层(1912)上方的金属填充物(1920)。外延区域(810)的两个相对的突出区域中的每个充当ReRAM堆叠体的底部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 集成 电阻 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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