[发明专利]半导体发光元件的制造方法在审
| 申请号： | 202080083219.6 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114762133A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 张泰镇 | 申请（专利权）人： | 波主有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/40;H01L33/26;H01L33/62;H01L33/00;H01L33/42;H01L33/38;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 金玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体发光元件制造方法(METHOD OF MANUFACTURING ALIGHT EMITTING DEVICE)，包括如下步骤：提供依次形成有第一半导体区域、有源区域、第二半导体区域的生长基板；在第二半导体区域侧接合第一透光性基板；从第一半导体区域侧去除生长基板；利用粘合层而将第二透光性基板附着到去除了生长基板的第一半导体区域侧；从第二半导体区域侧激光烧蚀第一透光性基板；露出一部分第一半导体区域；及在露出的第一半导体区域和第二半导体区域上分别形成倒装芯片的第一电极和倒装芯片的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于波主有限公司，未经波主有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080083219.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
