[发明专利]无电容DRAM单元在审
| 申请号： | 202080083660.4 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN114762116A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | C·佐塔;C·康维蒂诺;L·克佐诺玛兹;S·卡格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李兴斌 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种无电容DRAM单元(200)包括异质结构、在第一方向上邻接该异质结构的栅极结构(106、107)、在垂直于该第一方向的第二方向上邻接该异质结构的漏极结构(108)、以及在与该第二方向相反的方向上邻接该异质结构的源极结构(104)，该异质结构包括一个或多个半导体的沟道层(610、612)和一个或多个电绝缘的阻挡层(620、622、624)，该沟道层(610、612)和该阻挡层(620、622、624)在该第一方向上交替地堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 dram 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
