[发明专利]具有穿过硅之上的电介质蚀刻的沟槽的光学传感器在审
| 申请号： | 202080085972.9 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114787973A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | S·R·萨默费尔特;H·O·艾利;B·S·库克 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L31/054 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 袁策 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在所描述的示例中，集成电路(IC)(100)具有覆在衬底(102)的表面的至少一部分上的多个电介质材料层(110)。穿过电介质材料层蚀刻沟槽(106)以暴露衬底的一部分以形成沟槽底板(105)，沟槽被电介质材料层形成的沟槽壁围绕。金属周边带(321)邻近沟槽壁围绕沟槽，周边带嵌入电介质材料层中的一层中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿过 之上 电介质 蚀刻 沟槽 光学 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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