[发明专利]使用水平磁场生产硅的系统及方法在审
| 申请号： | 202080086321.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114787429A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | J·柳;池浚焕;尹佑镇;R·菲利普斯;卡瑞喜玛·玛莉·哈德森 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/30;C30B29/06;C30B30/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于通过水平磁场柴可斯基方法生产硅碇的方法包含：旋转装纳硅熔融物的坩埚；将水平磁场施加到所述坩埚；使所述硅熔融物与晶种接触；及在旋转所述坩埚的同时从所述硅熔融物抽出所述晶种以形成硅碇。所述坩埚具有可湿表面及形成于其上的方石英层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 水平 磁场 生产 系统 方法 | ||
【主权项】：
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