[发明专利]半导体装置及其制造方法、以及电子设备在审
| 申请号： | 202080086422.9 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114846626A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 竹内克彦;高桥圭太 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/338;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/532;H01L27/088;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/778;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明，减小了具有不同平面尺寸的每个场效应晶体管的导通电阻。半导体装置包括安装在半导体基板上的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管以及设置在半导体基板的主表面上的绝缘层。然后，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每一者包括：一对主电极，彼此分离地设置在半导体基板的主表面上；空腔，设置在一对主电极之间的绝缘层中；以及栅电极，具有位于绝缘层上的头部和从头部穿透绝缘层并朝向空腔突出的主体部，头部比主体部宽。第二场效应晶体管的空腔的宽度不同于第一场效应晶体管的空腔的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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