[发明专利]存储器子系统温度调节在审
| 申请号： | 202080088417.1 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114830235A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | J·斯洛特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C7/04 | 分类号： | G11C7/04;G11C7/10;G11C7/22;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 赵子杰 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包含由存储器子系统控制器的第一组件确定所述存储器子系统控制器的第一温度值。所述方法可进一步包含由非易失性存储器装置的第二组件确定耦合到所述存储器子系统控制器的所述非易失性存储器装置的第二温度值。所述方法可进一步包含响应于所述第一温度值或所述第二温度值中的至少一个超过阈值温度值而修改数据参数。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 子系统 温度 调节 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080088417.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：乙烯与1,3-二烯的共聚物
- 下一篇：纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物
