[发明专利]具有原子层沉积钝化侧壁、到顶部电接触体的自对准电介质通孔以及无等离子损坏的顶部接触体的微LED台面结构的形成在审
| 申请号： | 202080089169.2 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114902432A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | J.M.史密斯;S.P.登巴尔斯 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种微发光二极管，包括：台面，包括外延结构并具有面积小于10微米乘10微米、小于1微米乘1微米或小于0.5微米乘0.5微米的顶表面；顶表面上的电介质；在顶表面上居中或自对准的电介质中的通孔，例如完全居中或居中在顶表面的中心的0.5％内。在一个或多个示例中，微发光二极管是无等离子体损坏的。通孔中的金属化用于电接触微发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 原子 沉积 钝化 侧壁 顶部 接触 对准 电介质 以及 等离子 损坏 led 台面 结构 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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