[发明专利]铁电性薄膜、使用其的电子元件以及铁电性薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 202080090482.8 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114902385A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 上原雅人;秋山守人;山田浩志;舟洼浩;清水荘雄;安冈慎之介 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人产业技术综合研究所;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;C01B21/06;C01G15/00;C01G33/00;C30B23/08;H01L45/00;H01L49/00;H01L41/09;H01L41/113;H01L41/187;H01L41/31;C04B35/50;C04B35/58;C04B3 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;胡玉美 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明的目的在于提供一种与以往的由添加了钪的氮化铝构成的铁电性薄膜相比具有非常高的铁电性并且具有可耐受实用的稳定性的铁电性薄膜及使用其的电子元件。本发明提供由化学式M1 |
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| 搜索关键词： | 铁电性 薄膜 使用 电子元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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