[发明专利]化合物半导体装置与制造化合物半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202080090931.9 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114902424A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 岩男昭人;本山理一 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/337;H01L29/808;H01L21/338;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了能够抑制元件特性劣化的化合物半导体装置以及制造化合物半导体装置的方法。化合物半导体装置由化合物半导体构成，并且包括层压体，层压体包括第一导电类型载流子在其中移动的沟道层；栅电极，设置在层压体的上表面侧上；源电极，设置在层压体的上表面侧上；以及漏电极，设置在层压体的上表面侧上。层压体包括：第二导电类型的第一低电阻层，设置在面向栅电极的位置上并与栅电极接触；第一电场缓和层，从第一低电阻层朝向源电极和所述漏电极中之一的一侧延伸，并且缓和电场集中至第一低电阻层；以及第一非晶层，覆盖作为第一电场缓和层的侧表面并且面向源电极和漏电极中之一的第一侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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