[发明专利]通过多个NV中心测量磁通量密度和其它参数的方法和装置及其应用在审
| 申请号： | 202080092118.5 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN115244364A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 贝恩德·布尔查德;简·梅耶尔 | 申请（专利权）人： | 艾尔默斯半导体欧洲股份公司;量子技术UG（极限）公司 |
| 主分类号： | G01D5/26 | 分类号： | G01D5/26;G01D21/00;G01D5/14;G01D5/245;G01R33/032;G01N24/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 姚鹏;陈桂香 |
| 地址： | 德国多*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及具有量子点的传感器系统(NVMS)，其可以包括顺磁中心(NV1)。传感器系统包括控制/评估装置(AWV)，该控制/评估装置(AWV)优选地具有第一泵浦辐射源(PL1)、辐射接收器(PD1)，并且根据传输信号(S5)通过第一泵浦辐射源(PL1)用泵浦辐射(LB)照射量子点。在量子点被泵浦辐射(LB)照射时发射取决于物理参数的荧光辐射(FL)。控制/评估装置(AWV)根据荧光辐射(FL)产生具有表示测量值的信号分量的第一输出信号(out)。测量值取决于物理参数的值。控制/评估装置(AWV)通过一个或多个补偿线圈(LC)调节量子点的对于物理参数的灵敏度，使得辐射接收器(PD1)的接收器输出信号(S0)不再具有传输信号(S5)的任何分量。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 nv 中心 测量 磁通量 密度 其它 参数 方法 装置 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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