[发明专利]一种三维集成电路、三维集成电路对准工艺及设备

摘要

本申请公开了一种三维集成电路、三维集成电路对准工艺及设备，该三维集成电路至少包括叠置的两个芯片。上述三维集成电路包括叠置的第一芯片与第二芯片，上述第一芯片具有第一磁性对准标记，第二芯片具有第二磁性对准标记。上述第一磁性对准标记和第二磁性对准标记由磁性材料制备。因此，第一磁性对准标记和第二磁性对准标记在磁场中能够被磁化产生磁场。上述第一磁性对准标记与第二磁性对准标记相对，即在第一芯片靠近第二芯片的表面上的投影，上述第一磁性对准标记的投影与第二磁性对准标记的投影至少部分重叠，具体的，上述投影的方向垂直于上述第一芯片靠近第二芯片的表面上。该方案的对准精度较高，对准方法较为简单。