[发明专利]具有再分布层中断的芯片级封装在审
| 申请号： | 202080094748.6 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN115004344A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | V·S·斯里达兰;E·通杰尔;C·D·马纳克;P·F·汤普森 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置(150)，其包含具有电路系统(180)的半导体表面以及在所述半导体表面上方的金属互连层(122)，所述金属互连层(122)包含提供具有第一及第二端(171a、171b)的互连迹线(171)的选定金属互连层。顶部电介质层(119)在顶部金属互连层上。再分布层(RDL)(123)在所述顶部电介质层上。包含所述互连迹线的腐蚀中断结构(CIS)(170)桥接所述RDL的迹线中的中断间隙(123b)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 再分 中断 芯片级 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080094748.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液相色谱仪及分析方法
- 下一篇：胰腺癌的治疗和预后
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
