[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080098435.8 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN115244682A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 久留须整 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L27/06;H03F3/193 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 卢英日 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开所涉及的半导体装置(1)具备：n沟道耗尽型的晶体管(10)；输入匹配电路(24)，将栅极端子(11)与接地用端子(22)进行DC连接；自偏置电路(26)，具有电阻(14)以及电容(15)，电阻(14)通过由在自身中流动的电流而引起的电压降来偏置晶体管(10)，电容(15)与电阻(14)并联连接，在高频下被视为短路；以及一级或在同一方向上串联连接成多级的二极管(31)，最端部的阳极与源极端子(12)连接，最端部的阴极与接地用端子(22)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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