[发明专利]感测装置和电子装置在审
申请号: | 202080098819.X | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN115336012A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 宫之原明彦;樋山拓己 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L31/107;H04N5/369 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 沈丹阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 这种用于生成距离图像的感测装置减小了距离图像的测距精度的变化。该感测装置设置有:预定数量的像素电路;以及电压控制单元。将光电转换元件和检测电路提供给每个像素电路。预定的反向偏置电压被施加在光电转换元件的阳极和阴极之间。检测电路基于阳极或阴极中任一个的电位来检测光子是否存在。电压控制单元将反向偏置电压调整为与每个像素电路的光电转换元件的击穿电压对应的值。 | ||
搜索关键词: | 装置 电子 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的