[发明专利]半导体装置、储层计算系统以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080099700.4 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN115428166A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 河口研一;高桥刚 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/88;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金雪梅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，具有：多个隧道二极管，分别具备第一导电型的第一半导体区域和设置在上述第一半导体区域上且具有纳米线的形状的第二导电型的第二半导体区域；绝缘膜，覆盖上述第二半导体区域的侧面；多个第一电极，分别与上述第一半导体区域连接；以及多个第二电极，分别与上述第二半导体区域连接，上述第二电极具有第一面，上述第一面隔着上述绝缘膜与上述第二半导体区域的侧面对置，在上述多个隧道二极管之间，上述第二半导体区域的直径不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 计算 系统 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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