[发明专利]可用于测量半导体装置偏移的具有装置级特征的偏移目标在审
| 申请号： | 202080099714.6 | 申请日： | 2020-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN115428139A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | R·弗克维奇;L·叶鲁舍米;R·约哈南;M·吉诺乌克 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;G03F7/20;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在晶片上制造功能性半导体装置时测量形成于所述晶片上的至少第一层与第二层之间的偏移的目标及其使用方法，所述功能性半导体装置包含功能性装置结构(FDST)，所述目标包含：多个测量结构(MST)，所述多个MST是所述第一层及所述第二层的部分；及多个类装置结构(DLST)，所述多个DLST是所述第一层及所述第二层中的至少一者的部分，所述DLST与所述FDST共享至少一个特性且所述MST不与所述FDST共享所述至少一个特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 半导体 装置 偏移 具有 特征 目标 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
