[发明专利]一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统

摘要

本申请实施例提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统，第一掺杂结构形成于第二掺杂结构的一侧水平表面以及侧壁，第一掺杂结构与第二掺杂结构相邻近的区域用于形成雪崩区，而第二掺杂结构和第一掺杂结构相邻近的拐角区域的高场区更容易形成雪崩区，即雪崩效应发生在第二掺杂结构和第一掺杂结构的边缘区，因此产生雪崩效应的概率较大，而覆盖材料能够提供使第一掺杂材料层中的多子从边缘向中心运动的电场，利于第一掺杂材料层中的光生载流子向雪崩区移动，因此在一定程度上提高电荷收集效率，因此该器件具有较高的量子效率，从而可以具有较高的光探测效率。