[发明专利]场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202080102318.4 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115702487A | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 万光星;黄威森 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 袁方 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的实施例提供一种场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，能够降低栅极与源极、漏极间的寄生电容。制作方法，包括：在半导体衬底上形成支撑结构，支撑结构包括交替设置的第一半导体材料层和第二半导体材料层，支撑结构的两侧设置有隔离层；沿着隔离层与支撑结构的交界形成覆盖支撑结构的假栅结构，假栅结构在栅长方向的长度小于第一半导体材料层在所述栅长方向的长度，栅长方向用于指示场效应晶体管中载流子的输运方向；沿栅长方向，在假栅结构的两侧沉积第一绝缘层；沿所述栅长方向，去除第二半导体材料层中除牺牲层以外的区域，形成绝缘凹槽，绝缘凹槽的内部镂空、填充有空气。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
