[发明专利]用于缓解3D NAND器件中的字线阶梯式蚀刻停止层厚度变化的方法和装置在审
| 申请号： | 202080102415.3 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN115702493A | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | H·马;S·陶;Q·李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H10B41/35;H10B41/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李炜;黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置、方法和系统。该装置包括存储器阵列，该存储器阵列包括字线和阶梯式蚀刻停止层，字线限定阶梯式结构，阶梯式蚀刻停止层包括：夹芯式蚀刻停止层，设置在阶梯的顶部区域上并包括第一材料的第一蚀刻停止层和第三蚀刻停止层、以及被夹在第一蚀刻停止层与第三蚀刻停止层之间并且由第二材料制成的第二蚀刻停止层，该第二材料具有与第一材料的蚀刻属性不同的蚀刻属性；预切割的蚀刻停止层，被设置在阶梯式结构的在顶部区域下方的区域处，并且包括第二蚀刻停止层和第三蚀刻停止层且不包括第一蚀刻停止层；以及接触结构，延伸穿过电介质层和阶梯式蚀刻停止层并落在阶梯式结构处的字线上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 缓解 nand 器件 中的 阶梯 蚀刻 停止 厚度 变化 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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