[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202080102849.3 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN115812254A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 胡彬;段焕涛 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 聂秀娜 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括衬底，以及位于衬底上的外延层和电极，其中衬底中具有纵向贯穿衬底的金刚石结构，金刚石结构在纵向上可以分为第一金刚石部分和第一金刚石部分下方的第二金刚石部分，第一金刚石部分和第二金刚石部分的横向尺寸不同，由于金刚石结构的导热性能好，贯穿衬底的金刚石结构可以构成纵向的导热通道，提高半导体器件的散热性能，利于半导体器件的高功率性能的有效发挥。此外，第一金刚石部分和第二金刚石部分的横向尺寸不同，则利于控制第一金刚石部分和第二金刚石部分的结构，同时可以兼顾散热性能和外延层之间的晶格匹配，利于得到更高质量的外延层，利于得到高性能的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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