[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202080103573.0 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN116508133A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 苏博;赵振阳;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 李琼琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括目标层，基底包括用于形成目标图形层的目标区和与切割位置对应的切割区；在基底上形成掩膜侧墙；以掩膜侧墙为掩膜，图形化目标层，形成分立的初始图形层，初始图形层沿横向延伸，与横向垂直的方向为纵向，沿纵向相邻初始图形层之间形成有凹槽；形成边界定义槽，贯穿沿横向位于目标区与切割区的交界位置处的初始图形层；形成填充于凹槽和边界定义槽的间隔层；以位于边界定义槽中的间隔层和位于凹槽中的间隔层，分别对应为沿横向和纵向的停止层，刻蚀位于切割区的初始图形层，位于目标区的剩余初始图形层用于作为目标图形层。本发明实施例有利于增大刻蚀切割区的初始图形层的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
