[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置在审
| 申请号： | 202080104747.5 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN116137935A | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 永久雄一;田中贵规;纲城启之;川畑直之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅层(SL)在面内方向上具有活性区域(100)和配置于活性区域(100)的外周的外周区域(200)。多个第1阱区域(30)配置于活性区域(100)。第2阱区域(31)配置于外周区域(200)。多个欧姆电极(70)设置于碳化硅层(SL)的第2面上，与源极电极(80)连接，与多个第1阱区域(30)电欧姆连接，具有与碳化硅层(SL)的第2面中的具有第2导电类型的部分欧姆接触的多个面区域。活性区域(100)包括标准区域部(102)和标准区域部(102)与外周区域(200)之间的稀疏区域部(101)。稀疏区域部(101)相比于标准区域部(102)，俯视时的多个面区域的面密度更低。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 以及 电力 变换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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