[发明专利]解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法

摘要

本发明公开了一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法，具体步骤为下层光刻胶的匀胶‑下层光刻胶的烘烤‑上层光刻胶的匀胶‑上层光刻胶的烘烤‑光刻胶曝光‑光刻胶显影‑等离子体清洗‑镀电极/薄膜‑光刻胶的剥离，采用较薄的下层光刻胶作为底胶，以保证足够的底切和精确度较高的线宽；采用较短的曝光时间，减少了曝光过程中的干涉衍射现象带来的图形边缘扭曲问题；用氧等离子体清洗可以有效去除显影残留的光刻胶，保证图案的平直度，也有利于后续的去胶过程；较低温度的镀膜工艺可以保证光刻胶在镀膜过程中保持原有形貌；用专门的剥离胶去胶液加热辅助去胶，确保光刻胶完全剥离。