[发明专利]具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110002232.0 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112670380B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 林俊成 | 申请（专利权）人： | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明为一种具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管，主要包括一基板、一氮化铝缓冲层、一氮化铝氧化物薄膜及一发光二极管磊晶结构。氮化铝缓冲层位于基板的一图案化表面上，其中图案化表面包括复数个凸起部及至少一底部。氮化铝氧化物薄膜位于凸起部的氮化铝缓冲层上，而设置在底部的氮化铝缓冲层上则未设置氮化铝氧化物薄膜。发光二极管磊晶结构包括至少一氮化镓化合物结晶，位于氮化铝氧化物薄膜及未设置氮化铝氧化物薄膜的氮化铝缓冲层上，可大幅减少氮化镓化合物结晶的缺陷密度，并有利于提高发光二极管的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 氧化物 薄膜 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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