[发明专利]纳米厚度半导体薄膜异质结层间电荷转移的光学探测方法在审
| 申请号： | 202110002364.3 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112881509A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 何大伟;姚鹏;王永生 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G01N27/64 | 分类号： | G01N27/64 |
| 代理公司： | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 | 代理人： | 张新利;谢建玲 |
| 地址： | 100044*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于飞秒激光光谱学技术领域，涉及一种纳米厚度半导体薄膜异质结层间电荷转移的光学探测方法，包括：基频脉冲光入射到半导体薄膜异质结样品；激发半导体薄膜异质结，产生层间空间电场；层间空间电场诱导产生场致二次谐波；探测半导体薄膜异质结的场致二次谐波，实现了飞秒‑纳秒时间尺度内载流子输运过程的探测。具有及时响应的特性和极高的时间分辨率，同时不需要镀电极，且具有非接触的特点，保留了材料自身的固有性质，并实现纳米级的空间分辨率和可定位的特性。首次实现了利用光信号去探测电信号，同时具有极高的时间分辨率和空间分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 厚度 半导体 薄膜 异质结层间 电荷 转移 光学 探测 方法 | ||
【主权项】：
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